今天的小作文
1、中芯国在传突破等效3nm,3DIC堆叠键合封装,绕过光刻精度的瓶颈;2、传光刻机3NM工艺突破了,从TSV方向突破的
TSV 硅通孔技术虽无法直接突破 EUV 光刻机瓶颈,但通过先进封装路径,可实现3nm级性能等效突破,是现阶段我国弯道超车核心抓手。
依托TSV三维堆叠+ Chiplet模式,用 7/14nm成熟芯粒整合,实现3nm级别性能


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1、中芯国在传突破等效3nm,3DIC堆叠键合封装,绕过光刻精度的瓶颈;2、传光刻机3NM工艺突破了,从TSV方向突破的
TSV 硅通孔技术虽无法直接突破 EUV 光刻机瓶颈,但通过先进封装路径,可实现3nm级性能等效突破,是现阶段我国弯道超车核心抓手。
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