中芯国际通过DUV光刻机结合芯片堆叠方案(N+3与N+2芯片垂直键合),成功为华

海岳科技 2026-05-20 15:37:24

中芯国际通过DUV光刻机结合芯片堆叠方案(N+3与N+2芯片垂直键合),成功为华为Mate 90芯片实现等效3nm性能,大幅缩小与台积电的制程差距至两年内。该技术突破依赖混合键合(Hybrid Bonding)工艺,绕过了EUV光刻机限制,目前处于小批量试产阶段,性能测试超预期。

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评论列表

意境

意境

3
2026-05-21 17:19

已经证伪了

脑细胞

脑细胞

2
2026-05-21 16:31

很好了。

用户96xxx89

用户96xxx89

2
2026-05-21 18:47

使用美国高通的安卓系统芯片技术厂商今天晚上睡不好觉了。

用户18xxx17

用户18xxx17

1
2026-05-21 18:58

积热吗?

水猪

水猪

2026-05-21 08:42

关键问题是,现在连duv光刻机也不卖给中芯国际了

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