当地时间30日，根据接近美国政府的人士透露，美国已经批准三星电子在2026年向其在中国的芯片制造工厂运送芯片制造设备，这些主要是来自于美国的技术，当然还包括SK 海力士。 这个消息在全球半导体行业里引起了不小的震动，毕竟自从2022年美国出台严苛的对华芯片管制政策后，韩国企业向中国工厂运送设备一直受到严格限制。这次批准相当于美国在芯片管控上，迈出了“有限松绑”的一步。 之前2022年8月，美国拜登政府签署了《芯片和科学法案》，拿出527亿美元补贴本土的半导体产业，同时还设下了严苛的“护栏”条款。 条款规定，接受补贴的企业十年内不能在中国等“受关注国家”扩大产能，还要限制先进技术输出。2023年9月，美国商务部又进一步细化了规则，对14纳米以下先进制程的芯片设备出口实施全面限制。 到了2025年8月，美国更是直接撤销了三星、SK海力士在华工厂使用美国设备的“经验证最终用户”豁免权，要求之后每一批设备出口都得单独申请许可证，这个措施在12月正式生效。 这让两家韩国企业陷入了两难境地，中国是全球最大的半导体消费市场，它们在华的工厂也是全球供应链的核心环节，但美国掌握着芯片制造的核心技术，韩国企业根本离不开美国的技术支持。 这次获批的两家韩国企业，它们在华的工厂都有着举足轻重的地位。三星电子在华的核心基地是陕西西安工厂，主要生产NAND闪存，产能占全球的近两成，生产的产品广泛用于智能手机、固态硬盘等终端设备。 SK海力士则在无锡深耕了十七年，投资规模达到105亿美元，无锡工厂已经是全球顶尖的DRAM内存生产基地。2022年双方战略合作升级后，工厂的技术水平提升到14-16纳米，生产效率提高了27%，能耗也降低了40%。 目前在全球DRAM市场份额中，SK海力士占比达到36%，无锡工厂正是它的产能支柱。之前受美国管制的影响，两家工厂的扩产计划都陷入了停滞，尤其是SK海力士无锡工厂的设备更新和技术升级受到阻碍，这次获批相当于给它们的产能扩张开了“绿灯”。 值得注意的是，美国这次松绑并不是没有底线的。根据新的规定，三星和SK海力士需要每年提交设备采购计划，列明设备的类型、数量和用途，接受美国的年度审批。 虽然流程比之前逐批申请要简便一些，但依旧受到严格管控。更关键的是，获批的设备只针对14纳米以上的成熟制程，14纳米以下先进制程的设备仍然在禁令范围内。 这意味着美国始终坚守着核心技术的红线，并没有放弃对中国半导体产业的遏制，这次放宽只是“有限度的妥协”。 业内人士分析，获批的设备大多是等离子体刻蚀机、化学机械抛光机等成熟制程的关键设备，将会用于两家工厂的产能维护和适度扩产，而不是用于先进技术的研发。 美国这次松绑，本质上是多重战略考量下的平衡之举。一方面是为了拉拢韩国，巩固芯片供应链同盟。近年来中国存储芯片产业崛起得很快，长江存储的232层NAND芯片已经能和国际同代产品竞争，长鑫存储的LPDDR5内存也进入了主流市场。 预计到2025年底，长鑫存储的DRAM市场占率会达到10%-12%，长江存储的NAND市场占率将升到10%，这已经严重冲击了三星、SK海力士和美国美光的垄断格局。 美国担心过度打压韩国企业的对华业务，会导致它们的市场份额被中国企业抢占，反而削弱自己主导的供应链竞争力，所以才选择适度松绑，让韩国企业维持在华产能来抗衡中国企业。 另一方面，这也是美韩外交协商的结果。韩国政府曾多次要求美国调整芯片管制政策，认为严苛的限制会严重损害韩国企业的利益，影响韩国的经济稳定。 尤其是2023年美国《芯片法案》的“护栏”规则落地后，韩方多次提出异议，这次批准可以看作是美国对韩国的妥协，目的是维系双方在半导体领域的合作。 除此之外，美国内部对芯片政策也存在分歧，前总统特朗普就公开批评《芯片法案》“毫无意义”，主张用高关税替代补贴，迫使产业回流，这种内部争议也可能影响了这次的政策调整。 这次批准会对全球半导体产业格局产生深远影响。对三星和SK海力士来说，正好赶上2024年下半年全球存储芯片市场回暖，价格持续回升，获批后两家企业可以趁机扩产。 三星西安工厂计划将NAND闪存产能提升10%-15%，SK海力士无锡工厂则打算扩大8%的DRAM产能，这会进一步巩固它们在全球的垄断地位。 对中国市场来说，短期内能缓解存储芯片的供需紧张，带动设备维护、零部件供应等配套产业发展，但从长期来看，韩国企业的产能扩张会加剧市场竞争，给长江存储、长鑫存储等本土企业带来更大压力。 同时，这也再次凸显了中国核心芯片设备“卡脖子”的问题，国内企业还需要加快研发，推进设备的国产化替代。
