ASML和美国天都塌了，台积电都忍不住开始骂娘！实际让西方和欧美国家没有想到的并不是哈工大研发出来13.5纳米波长的极紫外光，也不是华为mate70全部国产化。而是本来ASML光刻机的光源技术来源于美国Cymer公司，这样来讲市场上的EUV光刻机几乎都是向美国采购的光源。现在你说尴尬不尴尬 说白了，哈工大这波13.5纳米EUV光源突破，就是给西方半导体垄断的城墙炸了个大窟窿，让ASML和美国彻底慌了神，台积电更是坐不住的节奏！ 起初，多数人都将西方巨头的慌乱归咎于哈工大成功研发13.5纳米波长极紫外光的消息。 在此之前，全球掌握该级别人工光源研发能力的团队极为稀少，而极紫外光（EUV）是制造先进制程芯片的核心关键，缺乏这一技术，即便拥有精密机械结构，也无法生产7纳米以下的高端芯片。 该消息最初在行业内部流传时，多数人将其当作谣言，直至相关技术论文通过审核正式发表，各界才被迫接受这一事实。 华为Mate70系列的发布，进一步加剧了行业震动。余承东在发布会上提出的“国产化率实现全面突破”，被外界解读为华为已打通全产业链自主通道。后续行业研报数据进一步证实，该机型搭载的新一代麒麟芯片，从设计到制造的各个环节均实现100%国产化。 从2019年Mate30系列30%的国产化率，到Mate70的完全达标，华为仅用六年时间便完成了他人数十年才能达成的跨越。这一进度超出诸多欧美行业分析师预期，他们此前预测华为要到2027年才能实现芯片全链条自主。 但这些并非让西方阵营最为坐立难安的部分。ASML技术总监内部会议发言泄露后，外界才看清了这场行业震荡的关键所在。该总监在会议中明确表示，真正的危机并非中国研发出EUV光源，而是ASML自身的EUV光刻机，其核心光源技术始终依赖美国Cymer公司。 该消息曝光后，整个半导体行业引发轩然大波，因为这意味着全球所有ASML产EUV光刻机的“心脏”，实际由美国掌控。 熟悉行业内情的人都明白，ASML虽为荷兰企业，但其EUV光刻机绝非单纯的“荷兰制造”，而是全球供应链整合的产物。 其中最核心的光源组件，研发与制造基地均位于美国加利福尼亚州圣地亚哥，负责该系统的Cymer公司虽早在2012年便被ASML收购，但其技术核心与生产基地始终留在美本土。 美国商务部在2022年10月发布的出口管制规则中，特意将EUV光源技术列为重点管控对象，核心原因便是美国牢牢掌控着这一关键环节。 哈工大的技术突破精准击中了这一敏感要害。其研发的13.5纳米EUV光源，采用自主设计的液滴发生器与双脉冲激光系统，完全规避了Cymer公司的专利壁垒。 液滴发生器被业内称为EUV光源的“心跳”，ASML设备中的该部件需以每秒5万次的频率发射直径27微米的锡液滴，再通过CO₂激光脉冲电离成等离子体，进而产生13.5纳米极紫外光。 哈工大团队不仅攻克了这一核心部件，还实现了更高稳定性，其测试数据显示，该团队研发的液滴速度控制精度比Cymer同类产品高出15%。 ASML的慌乱，从其近期动作中便能清晰察觉。该公司原本计划2025年大规模交付的High NA EUV设备，突然宣布推迟至2026年，对外宣称原因是“需要优化光源稳定性”。 但行业内部消息显示，真实原因是ASML紧急要求Cymer公司升级技术，试图在光源功率上重新建立优势。ASML此前创造的600瓦EUV功率纪录，曾是其引以为傲的资本，如今却成为必须坚守的防线。 更让ASML棘手的是，其EUV设备所需的氟石与铋等关键材料，92%的氟石和88%的铋均依赖从中国进口，如今技术壁垒被打破，这些原材料的供应话语权也悄然向中国转移。 美国国家技术标准研究院（NIST）近期紧急发布EUV技术报告，反复强调要强化对光源核心技术的管控，甚至提及联合欧洲盟友构建“技术防火墙”。 但这份报告更像是一种自我麻痹，因为美国清楚知晓，2022年出台的出口管制措施并未阻止中国的研发进程。 更令美国尴尬的是，Cymer公司不少核心工程师为华人，美国此前为防范技术外流，特意出台人才限制政策，如今却发现这一政策反而催生出更强大的竞争对手。
