5月交易大战明日开启，存储芯片主线迎来爆发窗口
祝各位老铁节日快乐！假期结束，明天起正式进入紧张又刺激的5月A股交易节奏。
节前市场已有明确信号：国产算力芯片强势拉升，海外算力巨头股价集体刷新新高，寒王更是斩获20cm大阳线，为科技行情定下基调。
五一假期期间，芯片半导体热度进一步发酵。韩国股市再度大涨创出新高，美股美光、闪迪等存储巨头延续涨势，走出一波强势行情。
昨日韩国股指单日暴涨超5%，今年以来累计涨幅已突破64%，走出名副其实的疯牛行情，三星、SK海力士等科技巨头是本轮上涨的核心推手。5月4日，SK海力士市值突破1000万亿韩元，折合人民币约4.62万亿元，行业景气度肉眼可见。
基于以上背景，节前尚未充分上涨的存储芯片板块，节后大概率迎来资金回流与补涨行情。
从基本面来看，存储模组与利基存储厂商一季报实现同比、环比双增长，毛利率同步大幅改善，周期成长属性被充分验证。
• 存储模组：长协供给协议（LTA）锁定业绩稳定性，弱化周期波动、强化成长属性。随着CPU配比提升，DRAM用量将持续增加；AI推理端海量数据爆发，也将持续拉动NAND存储需求。
• 利基存储：涨价周期刚刚启动，长期供给收缩是核心驱动力。一季度NOR闪存价格持续上涨，华邦、旺宏3月营收环比明显改善，二季度业绩有望继续亮眼。利基NAND领域关注度偏低，凯侠等原厂加速退出，供给缺口扩大，预期差显著。
需求端，英伟达2026年CES发布AAI原生内存新架构，新增G3.5存储层专门存放大模型KV缓存，单台服务器需要PB级额外存储，单GPU新增约11.1TB NAND需求。预计2027年，单GPU对应NAND需求将增至25-29TB，增幅超七成。
供给端，SK海力士2026—2027年晶圆投片量基本持平甚至下降，依靠堆叠技术提升单颗容量，行业总比特增速仍维持19.5%。当前行业库存处于历史低位，DRAM库存约4周、NAND不足6周，供不应求格局彻底确立。
价格端，HBM需求旺盛、价格坚挺；传统DRAM与NAND供需偏紧，涨价趋势至少延续至2027年一季度。2026年一季度NAND价格同比大涨75%，上行周期力度空前。
总结来看，当前存储芯片正处于近十年最强的上行周期，韩国股市的超强表现就是最直观的证明。尽管板块年内已有一定涨幅，但对标AI带来的海量新增需求，存储芯片整体估值仍处于低位，后市想象空间巨大。
