韩国存储芯片重大风险 韩国半导体巨头三星和SK海力士生产DRAM和NAND闪存芯片所需的溴，其97.5%依赖从以色列进口。
以色列核心供应商ICL集团的生产基地位于死海附近的索多姆，距离此前遭受袭击的内盖夫沙漠不足35公里，正处于地缘冲突的导弹打击半径内。、
以色列与约旦合计占全球溴供应的三分之二。由于ICL依托死海拥有全球最低成本优势，全球其他供应商目前没有多余产能能填补一旦以色列停产留下的缺口。
溴是生产半导体级溴化氢气体的必备原材料，若供应中断，将直接导致存储芯片生产线停工。
在芯片制造的“刻蚀”工序中，需要把多晶硅上多余的部分除掉，露出设计的电路图案。 相比氯或氟溴原子半径更大，化学活性更稳定。它能实现极高的选择性刻蚀，简单说就是只切垂直方向，不伤侧壁，是实现3nm、5nm等先进制程的关键。
溴化氢混合物常用于清洗晶圆表面，去除金属杂质或残留的氧化物。它在清洗时对硅衬底的损伤比其他强酸小，能保证芯片表面的平整度。
在芯片完成后的封装环节，溴元素常被添加在环氧树脂模塑化合物（EMC）中。作为高效阻燃剂，防止电子产品在高发热或短路时发生火灾。
