巨头扫货EUV光刻机,投资大增300%
冷眼看科技
2026-04-06 17:21:48
SK海力士正在加速努力,以加强其领先的10nm级第六代(1c)DRAM工艺的竞争力。该工艺的极紫外(EUV)设备投资已从原计划扩大约三倍。
据业内人士透露,SK海力士正专注于推进1c DRAM技术,该技术将应用于其第七代高带宽存储器(HBM)HBM4E的核心芯片,样品交付目标定在本年度。由于HBM的最大客户NVIDIA计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”,SK海力士正面临加快开发速度的压力。
此前,SK海力士曾将其现有的1b DRAM工艺应用于HBM3E和HBM4,同时优先将1c工艺用于DDR5、LPDDR5X和GDDR7等大宗DRAM产品。这种策略旨在同时确保HBM开发的稳定性以及领先工艺的参考。最近,随着1c DRAM良率改善,该公司已扩大其在HBM上的应用范围,并增加相关投资。
SK海力士在2024年8月开发出16Gb DDR5时,宣称获得了1c DRAM工艺技术的“全球首创”称号。转向量产后,遇到了良率提升的挑战,但该工艺相对较快地进入了稳定阶段。
一位业内人士表示:“去年7月时,即使是大宗DRAM而非仅限于HBM,良率也未达预期,因此成立了特别工作组(TF)来应对。此后情况已大幅改善。”据业内人士称,SK海力士的1c DRAM在大宗DRAM上的良率已攀升至80%。
凭借这一技术竞争力,1c DRAM的EUV设备投资也已大幅扩大。SK海力士上个月披露,从ASML购入了价值约12万亿韩元的EUV光刻扫描仪。考虑到该公司今年的总设备投资预计约为20万亿韩元,超过一半已分配至EUV。
上述人士表示:“据我了解,这超过公司原定的EUV扫描仪交付计划三倍以上。”
SK海力士采购的设备是ASML最新的EUV扫描仪型号,预计采购量约为20台。该合同似乎不包括高数值孔径(High-NA)设备。高NA EUV是一种下一代系统,能够实现比传统EUV更精细的电路图案化,每台价格约5000亿韩元。鉴于披露中提到的设备交付截止日期为2027年,而高NA尚未进入商业化阶段,其大规模采用的时间表似乎过于紧迫。
EUV扫描仪价格通常在3000-4000亿韩元范围内,但此次合同预计以更高价格成交。分析认为,由于生产力提升,最新型号的价格更高。
此外,还有观察指出,SK海力士支付了15-20%的“加急费”以加速设备交付。该公司预计将于2027年底从ASML收到EUV扫描仪的最终交付——相比2021年以五年合同采购价值约5万亿韩元同类设备的时间表,这是一个显著压缩的周期。然而,该公司的立场是“该合同以与整个行业类似水平签订,没有特殊差异”。
SK海力士计划将EUV扫描仪部署到正在进行1c DRAM工艺转换的生产线,包括清州M15X、利川M16以及龙仁半导体集群的第一座工厂。
此外,1c DRAM的EUV应用层数正从1a DRAM的一层和1b DRAM的四层扩展至五层或更多。竞争对手三星电子最初曾考虑为1c DRAM应用多达8-9层,但考虑到成本负担等因素,已调整至类似水平。
与此同时,SK海力士通过此次投资也在加速1c DRAM产能扩张。该公司计划今年将超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品,到年底产能预计达到每月约19万片晶圆。