中国在氧化镓的两个方向均站到了世界领先的位置 外媒称中国在“K相氧化镓 ”方面取得突破，并因此而在雷达领域领先美国两代，个人认为，在雷达领域，“β相氧化镓 ”半导体更具优势，“K相氧化镓 ”的优势更多的是体现作为存储芯片的潜力。 氧化镓禁带宽度与高温特性是与生俱来的，在这方面“β相氧化镓 ”要比“K相氧化镓 ”更好，且要上一个档次，更远高于氮化镓与碳化硅半导体，因此，在作为功率与射频器件方面，“β相氧化镓 ”无疑是第一选择。 目前，我们已有一整套8英寸的“β相氧化镓 ”的生产工艺与技术，针对于这种半导体的雷达据说已装机测试，而目前国外在这方面最具产业化前景的是日本，6英寸已具一定的能力，因此，在这方面，可以说是一骑绝尘，从某种意义上讲，雷达已在材料上领先美国两代。 记得以前有报道显示，氧化镓的很多特性与硅相近，包括它的生成、切割、抛光、刻蚀等等，在生产链上与硅有75%的趋同性，这意味着它生产成本将接近硅基芯片的水平，为大规模推广创造了条件，而中国研发人员通过对“K相氧化镓 ”的存储功能的开发，意味着已是硅基芯片替代的开始，接下来就是逻辑芯片的突破了。
