国产技术攻克芯片散热世界级难题！氮化镓功率器件站上万亿AI基建风口近日，西安电子

国产技术攻克芯片散热世界级难题！氮化镓功率器件站上万亿AI基建风口近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队传来重磅突破，一举攻克困扰全球半导体行业的芯片散热核心难题。团队创新采用原子级平整“薄膜”替代传统材料的“岛状”连接结构，实现芯片散热效率与综合性能的飞跃式提升。依托这项氮化铝薄膜技术，其研发的氮化镓微波功率器件，在X波段、Ka波段分别达成42 W/mm、20 W/mm的输出功率密度，直接将国际同类器件性能纪录拔高30%-40%，创下近二十年该领域的最大技术突破。这一成果意义深远：同等芯片面积下，装备探测距离大幅延伸；通信基站则能实现更远信号覆盖与更低能耗，为5G/6G通信、卫星互联网等未来产业筑牢核心器件根基。风口之上，机构火速点明产业机遇。第一创业证券郭强指出，英伟达最新发布的800伏直流架构白皮书，正重塑数据中心电源格局——传统线圈变压器将被固态变压器取代，而这一变革的核心，正是氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）功率半导体器件。更值得关注的是，英伟达CEO预计，2030年AI基础设施支出将飙升至3-4万亿美元，是2025年预计投资额的5倍以上。随着AI芯片持续升级带来功耗激增，氮化镓等高端功率器件的需求将迎来爆发式增长，产业黄金时代已至。