中国半导体产业“攻关最难山头”的标志性事件：中国原子能科学研究院首台串列型高能氢离子注入机成功出束且指标达国际先进水平 这不仅是单台设备的国产化，更是中国半导体产业“攻关最难山头”的标志性事件，意味着高端芯片制造自主可控从“点状突破”走向“链式安全”，对保障国家产业安全、能源转型和国防需求具有全局意义。 1. “四大核心装备”国产化拼图进一步补齐 离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称芯片制造“四大核心装备”。此前国内只在刻蚀机领域率先实现5nm级量产并获台积电验证，光刻机仍停留在28nm，薄膜沉积设备仅少量进入14nm验证，而高能氢离子注入机国产化率长期
