我国攻克半导体材料世界难题 划重点,传统芯片“岛状”连接结构严重阻碍散热,是器件性能提升的关键瓶颈。西安电子科技大学团队首创“离子注入诱导成核”技术,实现了散热效率的突破性提升,新界面热阻仅为传统方式的三分之一。点赞~
上海国际贸易港刚拦停一批美国高端芯片、不予通关,没隔几个小时,中国海关就明明白白
【172评论】【67点赞】
我国攻克半导体材料世界难题 划重点,传统芯片“岛状”连接结构严重阻碍散热,是器件性能提升的关键瓶颈。西安电子科技大学团队首创“离子注入诱导成核”技术,实现了散热效率的突破性提升,新界面热阻仅为传统方式的三分之一。点赞~
猜你喜欢
【172评论】【67点赞】
【41评论】【31点赞】
【2评论】【3点赞】
作者最新文章
热门分类
科技TOP
科技最新文章