我国芯片领域取得新突破
这肯定是芯片板块的又一大利好!北京大学彭海琳教授团队联合清华大学、香港大学等合作方发布了一项关于光刻胶微观行为的重要研究成果,运用冷冻电子断层扫描技术,首次实现了在液相、原位状态下对光刻胶分子三维结构和动态行为的纳米级观测,分辨率优于5纳米。基于此机理,团队开发的优化方案可使12英寸晶圆上的光刻缺陷数量下降超过99%。
要知道,光刻是整个集成电路制造过程中耗时最长、难度最大的工艺,耗时占IC制造50%左右,成本约占IC生产成本的三分之一。而光刻胶是光刻过程最重要的耗材。
如今国内有着重要突破,这妥妥的是大利好!
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