价值投资日志[超话] 存储芯片国产化核心环节及企业竞争力分析
一、制造端：国产替代的根基力量
制造环节是整个产业链的核心，虽然相关企业未上市，但其技术突破和产能扩张直接决定行业发展走向。
长鑫存储：全球第四大DRAM厂商，DDR5良率已达80%，单位晶圆成本较韩国厂商低15-20%，2025年预计产能273万片，HBM3样品已交付华为。
长江存储：3D NAND技术全球领先，232层芯片位密度达15.03 Gb/mm²，消费级品牌"致态"销量超越三星，目标抢占全球15%市场份额。
二、设备端：国产替代的先行者
设备环节是制造的基础，直接受益于产能扩张和技术突破，订单已进入爆发期。
中微公司：刻蚀设备龙头，在长江存储占比超40%，缺陷率比国际竞品低50%，2025年订单同比翻倍，薄膜沉积设备收入暴增608%。
拓荆科技：聚焦薄膜沉积和HBM核心工艺混合键合设备，设备稳定性接近国际水平，随长江存储HBM量产订单预计增长30%以上。
三、设计端：业绩兑现的主力军
设计企业直接面向市场，产品落地和业绩增长确定性较高。
兆易创新：全球NOR Flash第三，车规级产品供应特斯拉/比亚迪，2025年车规存储营收预计增长40%。
北京君正：车载DRAM全球市占率19%，适配特斯拉FSD平台，存算一体芯片已导入AI服务器。
联芸科技：PCIe 4.0主控芯片全球第二，2024年净利润增长13倍，2025年目标营收80亿元。
四、行业风险提示
需重点关注三大风险点：价格波动风险（2024Q4 DRAM均价环比下跌5%）、技术迭代风险（研发进度滞后可能错失市场机遇）、供应链风险（部分高端原材料仍依赖进口）。
五、投资逻辑总结
国产替代已进入量产阶段：制造端看产能爬坡节奏（长鑫/长江存储），设备端盯订单增速（中微/拓荆科技），设计端跟业绩兑现（兆易创新/北京君正）。替代红利预计将优先在设备端（进口替代确定性高）和制造端（产能突破）爆发。$北京君正 sz300223$
