转：光模块上游材料按缺货严重程度（缺口率+交期+不可替代性）从高到低排序（20

转：光模块上游材料按缺货严重程度（缺口率+交期+不可替代性） 从高到低排序（2026年5月，AI/DCI/1.6T场景）： 第一梯队：致命硬瓶颈（缺口60%–70%+，锁死行业产能） 1. 磷化铟（InP）衬底- 缺口：70%+；需求260–300万片/年，产能仅75万片。 - 垄断：住友、AXT占高端产能90%+；交期12–24个月，现货几乎无。 - 影响：直接决定200G+ EML/泵浦芯片产能，1.6T底层最大约束。 2. 200G+ EML光芯片（含DCI相干用）- 缺口：60%–70%；需求1.5亿颗/年，产能5000–8000万颗。 - 垄断：Lu­m­e­n­t­um/Co­h­e­r­e­nt占90%+；交期18–24个月，订单排至2028。 - 影响：800G/1.6T模块“心脏”，**DCI长距ZR/ZR+**刚需。 3. 泵浦激光器（980nm/14xx­nm，ED­FA/DCI用）- 缺口：50%–60%；AI-DCI拉动需求×3–5。 - 垄断：Lu­m­e­n­t­um/Co­h­e­r­e­nt占90%+；交期16–52周，高端排至2027。 - 影响：ED­FA唯一光源，DCI长距传输必备，缺货致模块交付延迟。 4. 法拉第旋片（光隔离器核心）- 缺口：50%+；日本Gr­a­n­o­pt（住友）停炉，Co­h­e­r­e­nt控50%份额。 - 交期：6–18个月；价格涨40%+，“一片难求”。 - 影响：高速模块隔离器必需，无替代方案。 第二梯队：严重紧缺（缺口30%–50%，制约高端量产） 5. DSP芯片（高速相干/硅光用）- 缺口：50%+；博通/Ma­r­v­e­ll垄断，交期12–18个月。 - 影响：800G/1.6T相干模块核心，国产暂无高端替代。 6. 薄膜铌酸锂（TF­LN）调制器（1.6T/3.2T用）- 缺口：40%–50%；扩产周期2–3年，2027年需求爆发。 - 影响：1.6T以上高速调制唯一方案，DCI长距刚需。 7. 高速透镜/光学元件- 缺口：35%–50%；精密模塑/镀膜产能受限，交期3–6个月。 - 影响：光引擎/OSA核心，良率瓶颈。 第三梯队：中度紧缺（缺口15%–30%，紧平衡） 8. CW连续波激光器（泵浦/调制用）- 缺口：15%–20%；交期2–3个月，Lu­m­e­n­t­um/Co­h­e­r­e­nt控产能。 9. 高阶高频PCB（1.6T用M8/M9）- 缺口：20%–30%；HDI/mS­AP工艺复杂，设备受限。 10. 硅光芯片（高速互连用）- 缺口：20%–25%；英特尔/Co­h­e­r­e­nt主导，国产中低端突破。 缺货核心逻辑 磷化铟衬底→EML/泵浦芯片→DSP/调制器→隔离器/光学元件，越上游缺口越大、交期越长、国产替代空间越高。