外媒:中国精准突破光刻胶瓶颈,剑指美日垄断 在半导体自主化战略中,中国正将突破重点从泛化目标转向关键"卡脖子"材料,光刻胶成为新的主攻方向。光刻胶是光刻工艺中将微观电路图案刻蚀到硅片上的核心光敏化学品,目前市场高度依赖美国和日本供应商。 光刻胶按曝光波长分为宽带UV、G线、I线、KrF、ArF、EUV及电子束等类型,其中KrF、ArF和EUV属于最先进制程所需,技术壁垒最高,也是中国目前最薄弱的环节。

外媒:中国精准突破光刻胶瓶颈,剑指美日垄断 在半导体自主化战略中,中国正将突破重点从泛化目标转向关键"卡脖子"材料,光刻胶成为新的主攻方向。光刻胶是光刻工艺中将微观电路图案刻蚀到硅片上的核心光敏化学品,目前市场高度依赖美国和日本供应商。 光刻胶按曝光波长分为宽带UV、G线、I线、KrF、ArF、EUV及电子束等类型,其中KrF、ArF和EUV属于最先进制程所需,技术壁垒最高,也是中国目前最薄弱的环节。

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