两存上市在即，看好设备商受益于国产替代&需求共振 两存上市在即，扩产加速&国产

两存上市在即，看好设备商受益于国产替代&需求共振 两存上市在即，扩产加速&国产化率提升。 长鑫科创板IPO申请已获受理，计划总投资345亿元，拟使用募集资金295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。我们认为国产半导体设备自身迎来历史性发展机遇，26年将会开启确定性强的扩产周期，设备全行业订单增速或超过30%，有望达到50%+。 存储需求持续放量，全球存储持续涨价。 TrendForce数据显示，2026年Q1常规DRAM合约价环比上涨90%-95%，NAND闪存上涨55%-60%。一方面AI驱动需求爆发，AI服务器对高性能存储（如HBM、DDR5）需求激增，挤压传统DRAM产能，导致DDR4等产品供应紧张；另一方面DRAM库存周期从2023年的31周降至2025年10月的8周，原厂削减DDR4产能转向高利润的HBM和DDR5。 中日关系不确定性增加，设备国产替代有望加速。 商务部发布2026年第1号公告，对日实施两用物项出口管制，双边关系进一步紧张。日本在涂胶显影与清洗设备领域占据全球主导地位，并在薄膜沉积、刻蚀等关键工艺保持技术领先。2024年中国大陆自日进口半导体设备391.7亿元，占同期总进口额23%，依赖度居高不下。鉴于地缘政治风险陡升，为确保供应链安全，我们预计本土Fab厂国产替代节奏有望加速 投资建议：重点推荐前道平台化设备商【北方华创】【中微公司】，低国产化率环节设备商【芯源微】【中科飞测】【精测电子】，薄膜沉积设备商【拓荆科技】【微导纳米】，后道封测【华峰测控】【长川科技】【迈为股份】。 风险提示：下游扩产速度不及预期，设备国产化进程不及预期。