存储芯片降价窗口临近，英特尔重磅入局重构行业格局！2月2日英特尔官宣重启内存业务

存储芯片降价窗口临近，英特尔重磅入局重构行业格局！2月2日英特尔官宣重启内存业务，并非布局传统独立DRAM量产，而是携手软银子公司SAIMEMORY推出ZAM新型堆叠DRAM技术，精准切入AI与HPC高端市场，双方合作将于2026年Q1正式启动，计划2027年推出原型产品、2029年实现量产，2030年完成全面商业化落地。这款全新技术堪称行业颠覆性突破，单芯片存储容量最高可达512GB，相较当前主流的HBM内存功耗直接降低40%-50%，同时量产成本仅为HBM的60%，实现了容量、能效与成本的三重优化，完美适配AI算力对高带宽、低功耗存储的核心需求。英特尔此番入局，正是瞄准了全球算力市场的巨量增量，而中国作为全球最大的存储芯片消费市场，更是其核心布局重点。中国存储芯片市场规模持续扩容，2023年达3943亿元，2024年增至4267亿元（同比+8.2%），2025年进一步攀升至4580亿元（同比+7.3%），2026年预计将突破4888亿元（同比+6.7%），全球市场占比稳定在30%-35%。但市场短板同样显著，2025年国内存储芯片国产化率仅25%-30%，核心的高端DRAM、HBM等产品进口依赖度仍超90%，市场替代空间巨大。英特尔ZAM技术的落地，将从供给端打破当前存储芯片的供需失衡格局，推动行业价格下行。而存储成本的降低，将直接破解中算力发展的核心成本瓶颈，加速AI算力的普及与下沉。同时，全球存储技术的迭代升级，也将倒逼国内存储产业链加速技术突破，在万亿级市场中抢占国产化替代的关键机遇，推动中算力产业迈入规模化发展新阶段。