中国科研团队攻克半导体散热难题，将芯片性能提升30%-40%，刷新国际纪录。 随着5G、物联网等新技术的迅猛发展，高性能半导体器件的需求日益增长。然而，如何有效散热成为制约其性能提升的关键瓶颈。近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队成功攻克这一世界难题，将芯片散热效率提高了一倍。团队创新性地开发出“离子注入诱导成核”技术，使氮化铝层从粗糙的“多晶岛状”结构转变为原子排列高度规整的“单晶薄膜”，热阻降低至传统结构的三分之一。这一突破不仅解决了第三代半导体面临的散热难题，还为第四代半导体的发展铺平了道路。实验结果显示，基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段输出功率密度分别达到42瓦/毫米和20瓦/毫米，刷新了国际纪录。这意味着在相同芯片面积下，装备探测距离显著增加，通信基站覆盖范围更广、能耗更低，为未来科技的应用提供了强有力的支持。 半导体散热难题 半导体设备散热 高功率器件散热
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