中微超7亿参设基金、长川收购子公司，国产半导体设备势头正盛
9月29日，中微公司参与出资的智微资本首期基金——上海智微攀峰创业投资合伙企业（有限合伙） 宣布启动，将正式进入投资期。此前9月23日，中微公司披露，其子公司中微半导体（上海）有限公司（简称 “中微临港”）拟与上海智微私募基金管理有限公司（简称 “智微资本”）及其他投资人共同出资，发起设立上海智微攀峰创业投资合伙企业（有限合伙）。
该基金募资规模暂定15亿元，首期6亿元已完成实缴，由智微资本作为管理人、普通合伙人、执行事务合伙人，拟认缴出资1500万元，占比约1%。中微临港作为有限合伙人，拟以自有资金认缴出资不超过7.35亿元，占基金总规模的比例不超过49%，为基金第一大出资方。此外，上海科技创业投资有限公司、上海临港国泰君安科技前沿产业私募基金（有限合伙）等10余家机构合伙人也同步参与。
该基金聚焦半导体及泛半导体产业链，包括集成电路、先进封装、LED外延片等核心环节，同时覆盖战略新兴产业的相关企业。
公开资料显示，中微公司是一家以中国为基地、面向全球的微观加工高端设备公司，为集成电路和泛半导体行业提供极具竞争力的高端设备和高品质的服务。中微开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。
9月以来，国内半导体设备领域除了中微公司出资设立基金外，还有盛美上海新品落地，先为科技设备交付，长川科技、苏大维格通过并购重组完善业务矩阵，以及拓荆科技募资加码产能建设，成渝地区首个先进封装设备项目投产等系列动态.....多家企业通过资本、技术、产能三位一体的布局，正为国产半导体设备打开新局面。
产品动态：关键设备国产化迈出新步伐
在半导体设备国产化进程中，核心设备的技术突破是关键环节。近期，盛美上海、先为科技聚焦细分领域，推出针对性新品或实现设备交付。
1盛美上海推出新设备
盛美上海于9月18日宣布推出首款专为宽禁带化合物半导体制造而设计的Ultra ECDP电化学去镀设备。该设备主要应用于晶圆图形区域外的电化学晶圆级金（Au）蚀刻工艺。
据盛美上海官方介绍，Ultra ECDP设备提供专业化工艺，包括金凸块去除、薄膜金蚀刻及深孔金去镀，并配备集成的预湿和清洗腔体。其具备精确的化学液循环和先进的多阳极电化学去镀技术，该系统实现了最小化的侧向蚀刻、优异的表面光洁度以及所有图形特征的卓越均匀性。
此外，Ultra ECDP专为满足化合物半导体制造不断发展的要求而设计，可适应不同衬底（包括碳化硅、砷化镓和磷酸锂等）的独特物理特性，如重量、应力和厚度。采用模块化设计的Ultra ECDP具有灵活性，可在单一平台内集成电镀和去镀工艺，并利用多阳极技术控制不同区域的去镀过程。Ultra ECDP还提供水平全表面去镀方式，以防止加工过程中的交叉污染。
2先为科技设备正式发货
9月17日，先为科技宣布其自主研发的EliteMO系列常压型GaN MOCVD设备正式发货，交付国内某头部化合物半导体晶圆厂。
根据介绍，此次发货的EliteMO系列金属有机化学气相沉积外延设备，具备广泛的应用覆盖与领先的工艺性能，适用于GaN LD、绿光到紫外LED、GaN电子器件、GaN基新结构材料、Ga2O3外延及AIN外延生长。该设备可实现多区电阻加热，具备优异的温度均匀性，可提供多元多组分、n/p型等多种材料外延生长解决方案，赋能先进材料的外延研发与制造。
早在6月16日，先为科技就已交付了BrillMO系列GaN MOCVD设备，当时该设备各项性能达到行业领先水平，其特有的温场和流场设计实现了高质量成膜，为功率芯片、射频芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造筑牢根基，在产能和成本控制方面也表现卓越。此次EliteMO系列设备的发货，是先为科技在化合物半导体外延设备领域的又一重大突破。
产业整合：资本驱动下的并购重组
资本是产业发展的催化剂。近期，半导体设备领域的并购活动和跨界投资事件频频，显示出产业内生整合与外部资本涌入的双重趋势。
1长川科技收购科为升：强化测试设备“视觉”能力
9月8日，长川科技披露资产收购计划，拟以1.19亿元收购控股子公司科为升视觉技术（苏州）有限公司（以下简称“科为升”）49%股权。本次收购完成后，公司将持有科为升100%的股权。
长川科技对科为升实行“两步走”的收购战略。去年12月，长川科技以9690万元的价格收购科为升51%股权。前次交易中，科为升的整体估值为1.9亿元。本次交易中，科为升的整体估值已达2.43亿元，增长近28%。两笔收购完成，长川科技将合计耗资2.16亿元。
科为升专注于视觉技术开发，涵盖软件开发及硬件方案的研发与销售，其主要产品为“Core Vision”图像处理系统软件。长川科技作为半导体测试设备领域的重要企业，本次收购有利于长川科技依靠科为升的核心视觉软件平台和视觉算法，进一步提升公司对AOI设备的研发水平，科为升的视觉研发和应用团队，也可以为公司AOI设备的开发、应用和业务拓展提供有力的技术支撑。
2苏大维格控股常州维普：从光刻向检测延伸
9月1日，苏大维格发布公告称，公司于近日与常州维普部分股东蒋开、刘建明、张彦鹏、刘庄、常州市地平线创业投资发展合伙企业（有限合伙）签署《股权收购意向协议》，拟以现金方式收购常州维普不超过51%的股权，并实现对常州维普的控股。常州维普100%股权的整体估值暂定为不超过人民币10亿元（含），本次交易对价预计不超过人民币5.10亿元。截至目前，苏大维格已按《股权收购意向协议》约定支付意向金，正积极推进后续尽职调查、审计、评估等工作。
公开资料显示，苏大维格是国内领先的微纳结构产品制造和技术服务商，通过自主研发微纳光学关键制造设备——激光直写光刻机和纳米压印光刻机，建立了微纳光学研发与生产制造的基础技术平台体系。常州维普是国内少数实现半导体光掩模缺陷检测设备规模化量产的企业，其产品还包括晶圆缺陷检测设备，已进入国内头部晶圆厂和掩膜版厂商的量产线。
光刻与检测是半导体制造中相辅相成的两个关键环节。光刻的质量需要通过高精度的缺陷检测设备来验证和保障。通过收购常州维普，苏大维格不仅能将其业务版图从光刻设备拓展至技术壁垒同样极高的量测设备领域，还能形成“光刻+检测”的协同效应。
产能建设：本土设备企业加码扩产
为满足国内晶圆厂持续扩产带来的巨大设备需求，本土设备龙头企业正通过大规模投资，建设新的产业化基地，旨在突破产能瓶颈，提升市场份额。
1拓荆科技46亿定增：打造高端薄膜沉积设备产业化基地
9月12日，拓荆科技公告称，公司拟向不超过35名特定对象发行A股股票，募集资金总额不超过46亿元，扣除发行费用后拟用于高端半导体设备产业化基地建设项目、前沿技术研发中心建设项目及补充流动资金。
其中，高端半导体设备产业化基地建设项目是拓荆科技使用首次公开发行募集资金2.68亿元投资的项目，此次拟使用本次募集资金15亿元对其进行追加投资。该项目原计划投资总额11亿元，公司已取得土地使用权证、用地规划许可证和工程规划许可证，并签订总包施工合同，正在履行相关政府部门备案手续。
根据实际需求，将项目投资总额由11亿元增加至17.68亿元，并计划将原拟由自筹资金投入的8.32亿元调整为由本次募集资金进行投入。该项目的实施有利于大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备系列产品的产业化能力。
据了解，高端半导体设备产业化基地建设项目拟在辽宁省沈阳市浑南区新建产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等，并引入先进的生产配套软硬件，打造规模化、智能化、数字化的高端半导体设备产业化基地。
2成渝地区首个先进封装设备项目投产
近日，据“内江政经事儿”公众号消息，景焱（四川）半导体设备有限公司先进封装键合设备生产线正式投用，这标志着成渝地区首个集成电路先进封装核心设备制造项目正式进入试生产阶段。
据介绍，这条先进封装键合设备生产线占地约3000平方米，项目一期于6月底启动厂房装修，8月底已实现试生产。作为成渝地区目前唯一的键合设备制造企业，景焱（四川）项目由长三角半导体产业领军企业——嘉兴景焱智能装备技术有限公司投资建设。
该项目的产品线涵盖高精度光学检查设备、倒装键合设备、晶圆级/面板级芯片键合设备以及2.5D/3D封装设备等四大系列，均为先进封装领域的关键设备。项目的投产，有利于中国西部地区在半导体设备制造领域的空白。
